LGS خىرۇستال

خىمىيىلىك فورمۇلا:La3Ga5SiQ14

زىچلىقى:5.75g / cm3

ئېرىتىش نۇقتىسى:1470 ℃

ئاشكارىلىق دائىرىسى:242-3200nm

سۇندۇرۇش كۆرسەتكۈچى:1.89

ئېلېكتر ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنتى:γ41 = 1.8pm / V ， γ11 = 2.3pm / V.

قارشىلىق كۈچى:1.7x1010Ω.cm

ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى:α11 = 5.15x10-6 / K (⊥Z-axis);α33 = 3.65x10-6 / K (∥Z-axis)

WhatsApp بىزگە ئېلخەت يوللاڭ PDF قىلىپ چۈشۈرۈڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

Basic properties

La3Ga5SiO14 خرۇستال (LGS خرۇستال) ئوپتىكىلىق سىزىقسىز ماتېرىيال بولۇپ ، بۇزۇلۇش نىسبىتى يۇقىرى ، ئېلېكتر ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنتى ۋە ئېلېكتر ئوپتىكىلىق ئىقتىدارى ناھايىتى ياخشى.LGS كىرىستال ترىگونال سىستېما قۇرۇلمىسىغا تەۋە ، كىچىكرەك ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى ، خرۇستالنىڭ ئىسسىقلىق كېڭىيىش ئانسوتروپى ئاجىز ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇقىملىقىنىڭ تېمپېراتۇرىسى ياخشى (SiO2 دىن ياخشى) ، ئىككى مۇستەقىل ئېلېكتر - ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنت BBO غا ئوخشاش ياخشى. خرۇستال.ئېلېكتر ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنتى كەڭ دائىرىدە تۇراقلىق.خرۇستالنىڭ مېخانىكىلىق خۇسۇسىيىتى ياخشى ، يېرىلىشچانلىقى ، يەتكۈزۈلمەسلىكى ، فىزىكا-خىمىيىلىك مۇقىملىقى ۋە ئىقتىدارى ئىنتايىن ياخشى.LGS خىرۇستالنىڭ كەڭ بەلۋاغلىق بەلۋاغ بار ، 242nm-3550nm دىن يۇقىرى توك يەتكۈزۈش نىسبىتى يۇقىرى.ئۇنى EO تەقلىد قىلىش ۋە EO Q- ئالماشتۇرۇشقا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

LGS كىرىستالنىڭ قوللىنىشچان پروگراممىلىرى ناھايىتى كۆپ: پيېزو ئېلېكتر ئېففېكتىدىن باشقا ، ئوپتىكىلىق ئايلىنىش ئۈنۈمىدىن باشقا ، ئۇنىڭ ئېلېكتر ئوپتىكىلىق ئۈنۈم ئۈنۈمىمۇ ناھايىتى يۇقىرى ، LGS يانچۇق ھۈجەيرىسىنىڭ تەكرارلىنىش چاستوتىسى يۇقىرى ، بۆلەكنىڭ ماسلىشىشچانلىقى ، تومۇرنىڭ كەڭلىكى ، قۇۋۋىتى يۇقىرى ، ئۇلترا تۆۋەن تېمپېراتۇرا ۋە باشقا شارائىتلار LGS كىرىستال EO Q -switch غا ماس كېلىدۇ.بىز LGS Pockels ھۈجەيرىسىنى ياساش ئۈچۈن γ 11 نىڭ EO كوئېففىتسېنتىنى قوللاندۇق ، ھەمدە ئۇنىڭ تېخىمۇ چوڭ تەرەپ نىسبىتىنى تاللاپ ، LGS ئېلېكتر ئوپتىكىلىق ھۈجەيرىسىنىڭ يېرىم دولقۇن بېسىمىنى تۆۋەنلەتتۇق ، بۇ بارلىق قاتتىق ھالەتتىكى ئېلېكتر ئوپتىكىلىق تەڭشەشكە ماس كېلىدۇ. تېخىمۇ يۇقىرى قۇۋۋەت تەكرارلاش نىسبىتى بار لازېر.مەسىلەن ، LD Nd غا ئىشلىتىشكە بولىدۇ: YVO4 قاتتىق ھالەتتىكى لازېرلىق يۇقىرى قۇۋۋەت ۋە ئېنېرگىيە 100W دىن ئېشىپ كەتكەن ، ئەڭ يۇقىرى سۈرئىتى 200KHZ ، ئەڭ يۇقىرى چىقىرىش قۇۋۋىتى 715w ، تومۇرنىڭ كەڭلىكى 46ns غا يېتىدۇ. چىقىرىش مىقدارى 10w غا يېقىنلىشىدۇ ، ئوپتىكىلىق زىيان چېكى LiNbO3 كىرىستالنىڭكىدىن 9-10 ھەسسە يۇقىرى.1/2 دولقۇن بېسىمى ۋە 1/4 دولقۇن بېسىمى ئوخشاش دىئامېتىرى BBO يانچۇق ھۈجەيرىسىنىڭكىدىن تۆۋەن ، ماتېرىيال ۋە قۇراشتۇرۇش تەننەرخى ئوخشاش دىئامېتىرى RTP يانچۇق ھۈجەيرىسىنىڭكىدىن تۆۋەن.DKDP يانچۇق ھۈجەيرىسىگە سېلىشتۇرغاندا ، ئۇلار ھەل قىلالمايدۇ ، تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى ياخشى.LGS ئېلېكتر ئوپتىكىلىق ھۈجەيرىلەرنى ناچار مۇھىتتا ئىشلىتىشكە بولىدۇ ھەمدە ئوخشىمىغان قوللىنىشچان پروگراممىلاردا ياخشى ئۈنۈمگە ئېرىشەلەيدۇ.

خىمىيىلىك فورمۇلا	La3Ga5SiQ14
زىچلىقى	5.75g / cm3
ئېرىتىش نۇقتىسى	1470 ℃
Transparency Range	242-3200nm
سۇندۇرۇش كۆرسەتكۈچى	1.89
ئېلېكتر ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنتى	γ41 = 1.8pm / V.，γ11 = 2.3pm / V.
قارشىلىق	1.7 × 1010Ω.cm
ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى	α11 = 5.15 × 10-6 / K (⊥Z-axis);α33 = 3.65 × 10-6 / K (∥Z-axis)