Terahertz مەنبەلىرى ئەزەلدىن THz رادىئاتسىيىسى ساھەسىدىكى ئەڭ مۇھىم تېخنىكىلارنىڭ بىرى بولۇپ كەلگەن.فوتونكا ھۆججىتىدە ، چوڭ سىزىقسىز كوئېففىتسېنتنى ئاساس قىلغان ، ئوپتىكىلىق بۇزۇلۇش بوسۇغىسى سىزىقسىز كىرىستالنى ئاساس قىلغان سىزىقسىز ئوپتىكىلىق پەرق چاستوتا ھاسىل قىلىش THz دولقۇنى بىلەن ھەرىكەتلىنىدىغان يۇقىرى قۇۋۋەت ، تەڭشىگىلى بولىدىغان ، ئېلىپ يۈرۈشكە ئەپلىك ۋە ئۆي تېمپېراتۇرىسىغا ئېرىشىشنىڭ ئۇسۇللىرىنىڭ بىرى.GaSe ۋە ZnGeP2 (ZGP) سىزىقسىز كىرىستاللار كۆپىنچە قوللىنىلىدۇ.
مىللىمېتىر ۋە THz دولقۇنىنىڭ سۈمۈرۈلۈشى تۆۋەن بولغان GaSe كىرىستاللىرى ، بۇزۇلغان يۇقىرى چەك ۋە ئىككىنچى ئىككىنچى غەيرىي كوئېففىتسېنت (d22 = 54 pm / V) ئادەتتە Terahertz دولقۇنىنى 40 مىللىمېتىر ئىچىدە بىر تەرەپ قىلىشقا ئىشلىتىلىدۇ ، شۇنداقلا ئۇزۇن دولقۇنلۇق تەڭشىگىلى بولىدىغان Thz دولقۇنى (40 مىللىمېتىردىن ئاشىدۇ).ئۇ 11.19 ° -23.86 ° [eoo (e - o = o)] دىكى مۇسابىقە بۇلۇڭىدا 2.60 -39.07 mm دە تەڭشىگىلى بولىدىغان THz دولقۇنىنىڭ ، 12.19 ° -27.01 ° [eoe (eoe) - o = e)].ئۇنىڭدىن باشقا ، 42.39-5663.67μm تەڭشىگىلى بولىدىغان THz دولقۇنى مۇسابىقە بۇلۇڭى 1.13 ° -84.71 ° [oee (o - e = e)] بولغاندا ئېرىشىلگەن.
ZnGeP2 (ZGP) كىرىستاللىرى يۇقىرى سىزىقسىز كوئېففىتسېنت ، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى يۇقىرى ، ئوپتىكىلىق بۇزۇلغان يۇقىرى چەكتىكى كىرىستاللارمۇ ئېسىل THz مەنبەسى سۈپىتىدە تەتقىق قىلىنغان.ZnGeP2 نىڭ d36 = 75 pm / V) دە ئىككىنچى سىزىقسىز كوئېففىتسېنتى بار ، بۇ KDP كىرىستالنىڭ 160 قېتىم.ZGP خرۇستالنىڭ (1.03 ° -10.34 ° [oee (oe = e)]] ۋە 1.04 ° -10.39 ° oeo تىپى تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈملۈك سىزىقسىز كوئېففىتسېنت بولغانلىقى ئۈچۈن تېخىمۇ ياخشى تاللاش ئىكەنلىكى ئىسپاتلاندى.ناھايىتى ئۇزۇن ۋاقىت ئىچىدە ، ZnGeP2 خرۇستالنىڭ Terahertz مەنبەسى بولۇش سۈپىتى بىلەن ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمى چەكلىك ئىدى ، چۈنكى باشقا تەمىنلىگۈچىلەرنىڭ ZnGeP2 خرۇستال ئىنفىرا قىزىل نۇر رايونىدا سۈمۈرۈلۈش نىسبىتى يۇقىرى (1-2μm): سۈمۈرۈلۈش كوئېففىتسېنتى> 0.7cm-1 @ 1μm ۋە> 0.06 cm-1 @ 2μm.قانداقلا بولمىسۇن ، DIEN TECH ZGP (مودېل: YS-ZGP) كىرىستالنى دەرىجىدىن تاشقىرى تۆۋەن سۈمۈرۈلۈش بىلەن تەمىنلەيدۇ: سۈمۈرۈلۈش كوئېففىتسېنتى <0.35cm-1@1μm ۋە <0.02cm-1@2μm.ئىلغار YS-ZGP كىرىستاللىرى ئابونتلارنى تېخىمۇ ياخشى مەھسۇلاتقا ئېرىشتۈرەلەيدۇ.
پايدىلانما:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体 差 频 产生 可 调谐 2008 2008 2008 2008 2008 2008Phys.Soc.
